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高純氫中微量烴污染的分析與測(cè)定方法

* 來(lái)源: * 作者: * 發(fā)表時(shí)間: 2020/02/21 21:13:33 * 瀏覽: 101
高純氫氣廣泛用于電子行業(yè),石化行業(yè),金屬冶煉,國(guó)防前沿和科研部門(mén)。它也可用作制備標(biāo)準(zhǔn)氣體的原料氣和色譜法的載氣。隨著科學(xué)技術(shù),科學(xué)實(shí)驗(yàn)和工業(yè)產(chǎn)品的快速發(fā)展,特別是超大型集成電路,光電產(chǎn)品等一些高科技產(chǎn)品,需要嚴(yán)格控制氫的純度和雜質(zhì)含量。 ,并要求在有色金屬,硅鋼,帶鋼,精密合金和浮法玻璃的冶煉和加工中將O2,H2O,HTC烴,CO,CO2和其他雜質(zhì)提純至10-9-10-12要求使用純度約為99.999%的氫氣,在天然氣工業(yè)中,純氫氣用于氣體分析和精煉。目前,工業(yè)化生產(chǎn)的大部分工業(yè)氫氣都應(yīng)進(jìn)行化學(xué)處理以滿(mǎn)足各種行業(yè)的需求。氫的純化方法主要包括化學(xué)吸收法,催化反應(yīng)法,選擇性吸附法和膜分離法。測(cè)定總烴的方法和原理。在氣相色譜分析和檢測(cè)過(guò)程中,氣相色譜儀對(duì)所用氣體的純度有更高的要求。儀器本身需要?dú)怏w純度,否則,使用不符合要求的低純度氣體會(huì)造成一系列不利影響。另外,在硅外延工程時(shí)代,氫與四氯化硅或三氯氫硅在加熱的硅基板的表面上反應(yīng),并且還原的硅沉積在硅基板上以形成外延層。上述方法對(duì)氫的純度有很高的要求。如果碳?xì)浠衔锖窟^(guò)高,則會(huì)形成碳化硅,從而在外延層中引起星形缺陷。因此,應(yīng)該將高純度氫中所含的總烴作為監(jiān)測(cè)目標(biāo)。中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)推薦的測(cè)定氣體中總烴的方法是叉車(chē)火焰電離法,目前大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室都在使用該方法。該方法的工作原理:樣品進(jìn)入電離室后,在氫火焰的高溫下被電離產(chǎn)生陽(yáng)離子。由于離子數(shù)量與被測(cè)組分的含量成正比,因此可以通過(guò)工作站(或記錄儀)確定并記錄其含量。相應(yīng)組分的色譜峰。火焰電離檢測(cè)器上總烴的響應(yīng)信號(hào)是多種烴信號(hào)的總和。到目前為止,除了食品級(jí)二氧化碳的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)外,總碳?xì)浠衔镆菜阕骷淄椋渌麣怏w中的總碳?xì)浠衔镆矝](méi)有統(tǒng)一的基準(zhǔn)。此處,甲烷也用作參考物質(zhì),分析結(jié)果以甲烷為單位進(jìn)行測(cè)量。氫是易燃的壓縮氣體。存放在陰涼通風(fēng)的倉(cāng)庫(kù)中。倉(cāng)庫(kù)中的溫度不應(yīng)超過(guò)30°C。遠(yuǎn)離火源和熱源。避免陽(yáng)光直射。應(yīng)與氧氣,壓縮空氣,鹵素(氟,氯,溴),氧化劑等分開(kāi)存放。切勿混儲(chǔ)和運(yùn)輸。儲(chǔ)藏室的照明,通風(fēng)和其他設(shè)施應(yīng)防爆。交換機(jī)位于倉(cāng)庫(kù)外部,并配備有相應(yīng)數(shù)量和數(shù)量的消防設(shè)備。禁止使用火花機(jī)械設(shè)備。檢查時(shí)請(qǐng)注意產(chǎn)品名稱(chēng),注意檢查日期,并先使用高級(jí)倉(cāng)庫(kù)。運(yùn)輸過(guò)程中要輕裝輕卸,以免損壞氣缸和附件。