摻雜氣體（DopantGases）：在半導體器件和集成電路的制造中，將一些或某些雜質摻雜到半導體材料中，以使該材料具有所需的導電類型和一定的電阻率，用于制造PN結，電阻，埋層摻雜過程中使用的氣體摻雜源稱為摻雜氣體。主要包括a，膦，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷。通常，摻雜源和載氣（例如氬氣和氮氣）在源機柜中混合。混合后，氣流連續流入晶片周圍的擴散爐，化合物摻雜物沉積在晶片表面，然后與硅反應生成摻雜劑。金屬遷移到硅中。